アンプのバイアス電流調整を行いました。



アンプのファイナル段のMOSFETは、4パラ X 2 構成で、FET一つ当り125mA流すことにしました。AB

級動作です。




MOSFETは、トランジスターと違いバイアス電流を100mA位と少し多めに流す必要が有ります。
電流を流してあげないと、FETのNチャン側(2SK405)とFETのPチャン側(2SJ115)の出力が上手くつながらない(合成できない)ため、クロスオーバー歪みが出てしまいます。
バイアス電流を200mA~250mA位流したいところでしたが、放熱器の放熱容量が足らなく125mA以上流す事が出来ませんでした。また、コンパクト モノラル アンプを目指したため、アンプを収めるケースもギリギリ





次は、アンプの静特性を確認したいと思います。回路シュミレーション通りの特性が出るか楽しみです。

