フルバランスアンプ (X_Under bar)

心地よい音を求めて

2016年02月

APB-3用 ローノイズプリアンプ基板を2種類作ったので2種類の基板ともケースに収めてみました。

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同じ物を2種類作るのも面白くないので、電池と外部DC5V電源が使えるタイプと、もう片方は、外部DC5V電源だけの2種類を作りました。

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使用感としては、電池と外部電源の二つが使える方が形状は大きく成りますが使い勝手が良いです。また、外部電源DC5Vは、スイッチングタイプのACアダプターでは、スイッチングノイズが大きくアンプのベースノイズが増えローノイズアンプとしての最大性能が出ません。
この外部電源の問題は、アナログタイプのACアダプターに交換すれば解決すると思います。

基板ですが、基板-Aは、おじさん工房さんと同じ回路で作り、ほぼ、同じ特性になりましが、自前回路 基板-Bがノイズレベルで2dBほど高かっので、入力J-FETのドレイン電流を2.5mAから4mAにUPしたところ、基板-Aとほぼ同じレベルまで行きました。

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因みに、基板-Aでは、入力部のJ-FET 2SK170BL(gm:22mS×2=44 mS)をパラ差動で受けていますが、基板-Bでは、入力部のJ-FET 2SK369V(gm:40mS)を1本の差動で受けています。
基板-Bで2SK369Vを使用した理由は、手持ちにあったのと、ランクがV(Idss14~30mA)とIdssがかなり大きく使い方が難しかったので、あえて使ってみました。
思い切って、2SK369VのIdを10mAまで流して使っても面白いのですが、なんせ、DC/DCコンが貧弱で現段階では4~5mAが限界でした。
皆さんご存知だと思いますが、gmはトランジスタで言うhFE(直流電流増幅率)に相当するもので、FETではgm(相互コンダクタンス)で表します。
なので、アンプの初段のJ-FETはgmの大きい物を使った方がノイズ的に有利です。
MOS-FETは、FET自身のノイズが大きいためアンプの初段には使えません。残念!
以前秋月さんでも2SK170BLを販売しておりましたが、現在は扱っていませんね。
秋月さんで扱っている低周波用でHi gm J-FETは、2SK369V位です。
秋月さん、2SK369V 40円:

基板-Aには、1kHzのローバスフィルターが付いていますが、私は使わないのでスイッチは付けませんでした。
基板-Bには、IHF-Aフィルターを入れてみました。
このIHF-Aフィルターは、メーカー製アンプのS/N比等に良く出てくる聴感補正フィルターです。
このIHF-Aフィルター回路を入れて特性を見ましたが、IHF-Aカーブ基準に対して±0.8dB位の精度でした。
抵抗やコンデンサの値をもう少し追い込めば、±0.3dB位までの精度が出せると思いますが、確認程度の使用ですので現状でOKとしました。

既に入手が困難なナポレックス NAPOLEX NSA-3のイヤーパッドの代替品は無いかと、ネットを調べてみると寸法が少し小さいのですが使えそうなので、購入してみました。

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希望寸法は、外形φ75mm、内形φ30mmですが、今回購入した物は、外形φ70mm、内形φ30mmで、外形が少し小さいです。

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この交換用イヤーパッドは、SONYのV150 V250 V200 V300用ですが、値段が安いので使う事にしました。
中国製で、2個で221円(送料込み)です。購入から約2週間で届きました。
取り付け方は、両面テープで止めました。

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装着感は、少し硬い感じがします。
使って行くうちに柔らかく成れば良いのですが。

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