APB-3用 ローノイズプリアンプ基板を2種類作ったので2種類の基板ともケースに収めてみました。

同じ物を2種類作るのも面白くないので、電池と外部DC5V電源が使えるタイプと、もう片方は、外部DC5V電源だけの2種類を作りました。

使用感としては、電池と外部電源の二つが使える方が形状は大きく成りますが使い勝手が良いです。また、外部電源DC5Vは、スイッチングタイプのACアダプターでは、スイッチングノイズが大きくアンプのベースノイズが増えローノイズアンプとしての最大性能が出ません。
この外部電源の問題は、アナログタイプのACアダプターに交換すれば解決すると思います。
基板ですが、基板-Aは、おじさん工房さんと同じ回路で作り、ほぼ、同じ特性になりましが、自前回路 基板-Bがノイズレベルで2dBほど高かっので、入力J-FETのドレイン電流を2.5mAから4mAにUPしたところ、基板-Aとほぼ同じレベルまで行きました。

因みに、基板-Aでは、入力部のJ-FET 2SK170BL(gm:22mS×2=44 mS)をパラ差動で受けていますが、基板-Bでは、入力部のJ-FET 2SK369V(gm:40mS)を1本の差動で受けています。
基板-Bで2SK369Vを使用した理由は、手持ちにあったのと、ランクがV(Idss14~30mA)とIdssがかなり大きく使い方が難しかったので、あえて使ってみました。
思い切って、2SK369VのIdを10mAまで流して使っても面白いのですが、なんせ、DC/DCコンが貧弱で現段階では4~5mAが限界でした。
皆さんご存知だと思いますが、gmはトランジスタで言うhFE(直流電流増幅率)に相当するもので、FETではgm(相互コンダクタンス)で表します。
なので、アンプの初段のJ-FETはgmの大きい物を使った方がノイズ的に有利です。
MOS-FETは、FET自身のノイズが大きいためアンプの初段には使えません。残念!
以前秋月さんでも2SK170BLを販売しておりましたが、現在は扱っていませんね。
秋月さんで扱っている低周波用でHi gm J-FETは、2SK369V位です。
秋月さん、2SK369V 40円:
基板-Aには、1kHzのローバスフィルターが付いていますが、私は使わないのでスイッチは付けませんでした。
基板-Bには、IHF-Aフィルターを入れてみました。
このIHF-Aフィルターは、メーカー製アンプのS/N比等に良く出てくる聴感補正フィルターです。
このIHF-Aフィルター回路を入れて特性を見ましたが、IHF-Aカーブ基準に対して±0.8dB位の精度でした。
抵抗やコンデンサの値をもう少し追い込めば、±0.3dB位までの精度が出せると思いますが、確認程度の使用ですので現状でOKとしました。