パワーMOSFETのコンプリペアーやパワーMOSFETのパラ接続を行う時に、ゲートしきい値電圧(Vgs)を測定してペアー等を組む必要が有ります。
これまでは、簡単な回路を組んでVgs電圧を測っていましたが、基準となるドレイン電流を一定に保つことが非常に難しくて測定に苦労していました。
そこで良い方法は無いかと、古い雑誌を探していましたらドレイン電流を一定に保ちながらVgsを測定できる回路が有りましたので、その回路で基板を作ってみました。
今回は色々とドレイン電流を変化出来るよう工夫もしました。
Vgsを測定できるドレイン電流は、10mA、15mA、25mA、35mA、40mA、50mA、60mA、65mA、75mA、100mA、110mA、115mA、125mA、135mA、140mA、150mA、160mA、165mA、175mA、200mAの20種類をスイッチで選べるようにしました。
このドレイン電流を大きくして測定するとMOSFETからの発熱によりVgs電圧が変化してしまうためドレイン電流の最大電流を200mAとしました。
A級アンプ等でのパラ接続では、もう少し多めにドレイン電流を設定する必要が有ると思います。
その場合はMOSFETに放熱板を付ければ良いと思います。
Vgs測定基板は、MOSFETのN-chとP-ch用の2種類の基板を作りました。
ドレイン電流を100mA以上で使う場合は、MOSFETに放熱板を付けた方が安心して測定出来ます。
今回、あり合わせのコネクターを使って、Vgsの測定を行いましたが、もう少しちゃんとしたコネクターを使えばパワーMOSFETをスムーズに交換出来て作業が速く進められると思いました。
これで何種類かあるパワーMOSFETのVgs測定が行えそうです。
