アンプのアルミケースをやっと手に入れました。
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前回少し説明させて戴きましたが、アンプの電源を18～19Vのアダプターで動作させるオールFETのバランスアンプで、コンパクトに作ろうかと考えてみました。
今回のパワーアンプは、この放熱型アルミケース(タカチ AWA8-8-26SS)に合わせて基板形状を決めました。
ただこのアルミケースの難点は、フタを開ける構造になっていないので、その辺を考える必要が有ります。
そのためアンプ基板を1.5mmのアルミのサブプレートに止めてからアルミケースに収める感じにしました。
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ケース加工は、今回のゴールデンウイーク中に行えればと考えています。


その前に、今回のパワーアンプの特性を測ってみました。
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【周波数特性】
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周波数特性は良いですが、測定した位相特性から少し異常発振するような感じもします。
位相補償をもう少しやりたいと考えています。

【歪特性】
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歪特性は、NFBを掛けている半導体アンプとしては、あまり良くない特性です。
今回のパワーアンプのオープンループゲインは約36dB程度と低めで、アンプのゲインを15dB～20dBに設定していますので、NFB量は16dB～20dBと半導体アンプとしてはかなり少ないです。
※OPアンプのオープンループゲインは、110dB～140dB
それと、パワー段のMOS-FETのバイアス電流を50mAで設定しています。
本来、パワー段MOS-FETのバイアス電流を100mA～150mAくらいは欲しいところです。

【入出力特性】
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まだ、何点か検討が必要な部分も有りますが、とりあえずアルミケースの加工ですね。